■ 특징
- 강한 자기장에 의한 고밀도 플라즈마 스퍼터링 소스를 이용하여 낮은 가스압력에서 산소에 영향과 플라즈마에 의한 손상이 없는 고순도금속, 삼원계 금속 및 전도체 박막 진공 증착이 가능함.
■ 규격
(1). 성능 및 사양
- 증착기판크기 : 조각시편~4 인치 웨이퍼
- 레서피에 의한 자동증착 공정 제어,저장
- Magnetron sputtering source : 1 set, 3” gun
- Ultimate pressure :
Below than 5 x 10E-7 torr @ 12시간 이내
- Deposition uniformity : ±3% 이내 @ 4 inch dia sample, STD Dep.
- ROR : 1 x 10E-6 torr/min 이하
- Substrate 표면온도 : Up to 500℃
- 기판온도균일도 : ±3℃ 이내 @ 4 inch zone
- Sputtering source bias volatge: -200V 이상
(2). 주요 자재 및 설비
- 공정챔버(SUS304)
. Top door, 시창, 내부쉴드카바,전해연마
All port UHV
ISO seal & down sputter design
- 공정챔버 진공배기장치
. Turbo pump (450 l/s(N2), <5x10E-8torr)
. Backing pump (600 l/m 이상, No tip-seal replacement, air cooling)
. Gate valve (metal bonnet)
. Turbulence free pumping and vent
- 기판장치
. 4인치 웨이퍼 1장
. 공압셔터 기능
. Heating element : UHV compotible
. 고온용 히터 : Up to 500℃
- 고진공 및 저진공 측정장치
. Wide range vacuum transducer
. Automatic filament control, set point relay
- Magnetron sputtering source : 1 set, 3”
. Directly cooled target
. Max.DC power : 1,000W
. NdFeB encapsulated, CTFE insulator
. Pneumatic shutter
. Size & Q’ty : 3 inch x 1ea
- Gas supply
. 2 MFC (Ar, O2)
. Response time : <50 micro seconds
. 안전기능 자체프로그램 내장 :
아크인식카운터, 내부온도 과열차단, 비정상전류
전압출력 인터락 차단 강제종료, 에러메세지저장
. Multi-source select controller
- Auto pressure control unit
. Down stream
. Pressure control : 1mtorr ~ 50mtorr
- 프레임
. AL, Foot & caster
. 19" Standard Rack cabinet
- 시스템제어장치
. 산업용 터치 Monitor ( 10 inch 이상)
. Programming : Data log./real or historical
trend, Recipe selection, Temp. control and
monitor, Pressure monitoring, Cycle process
function, Partial running function,
Safety alarm,
.PLC Module (High speed, noise isolation)
- 유틸리티 안전 인터락 제어 시스템
- EMO |
■ 특 징
- 강한 자기장에 의한 고밀도 플라즈마 스퍼터링 소스를 이용하여 낮은 가스압력에서 산소에 영향과 플라즈마에 의한 손상이 없는 고순도금속, 삼원계 금속 및 전도체 박막 진공 증착이 가능함.
■ 규 격
(1). 성능 및 사양
- 증착기판크기 : 조각시편~4 인치 웨이퍼
- 레서피에 의한 자동증착 공정 제어,저장
- Magnetron sputtering source : 2 set, 3” gun
- Ultimate pressure :
Below than 5 x 10E-7 torr @ 12시간 이내
- Deposition uniformity : ±3% 이내 @ 4 inch dia sample, STD Dep.
- ROR : 1 x 10E-6 torr/min 이하
- Substrate 표면온도 : Up to 500℃
- 기판온도균일도 : ±3℃ 이내 @ 4 inch zone
- Sputtering source bias volatge: -200V 이상
(2). 주요 자재 및 설비
- 공정챔버(SUS304)
. Top door, 시창, 내부쉴드카바,전해연마
All port UHV
ISO seal & down sputter design
- 공정챔버 진공배기장치
. Turbo pump (450 l/s(N2), <5x10E-8torr)
. Backing pump (600 l/m 이상, No tip-seal replacement, air cooling)
. Gate valve (metal bonnet)
. Turbulence free pumping and vent
- 기판장치
. 4인치 웨이퍼 1장
. 공압셔터 기능
. Heating element : UHV compotible
. 고온용 히터 : Up to 500℃
. Substrate rotation; 10~50RPM
- 고진공 및 저진공 측정장치
. Wide range vacuum transducer
. Automatic filament control, set point relay
- Magnetron sputtering source : 2 set, 3”
. Directly cooled target
. Max. DC power : 1,000W
. Max. RF power : 300W
. NdFeB encapsulated, CTFE insulator
. Pneumatic shutter
. Size & Q’ty : 3 inch x 2ea
- Gas supply
. 2 MFC (Ar, O2)
. Response time : <50 micro seconds
. 안전기능 자체프로그램 내장 :
아크인식카운터, 내부온도 과열차단, 비정상전류
전압출력 인터락 차단 강제종료, 에러메세지저장
. Multi-source select controller
- Auto pressure control unit
. Down stream
. Pressure control : 1mtorr ~ 50mtorr
- 프레임
. AL, Foot & caster
. 19" Standard Rack cabinet
- 시스템제어장치
. 산업용 터치 Monitor ( 10 inch 이상)
. Programming : Data log./real or historical
trend, Recipe selection, Temp. control and
monitor, Pressure monitoring, Cycle process
function, Partial running function,
Safety alarm,
.PLC Module (High speed, noise isolation)
- 유틸리티 안전 인터락 제어 시스템
- EMO
|
|
HOME
.......
