스퍼터 JS-MSP Sputter          . JS-MSP Magnetron Sputter Series 강한 자기장에 의한 고밀도 플라즈마 스퍼터링 소스를 이용하여 낮은 가스압력에서 산소에 영향과 플라즈마에 의한 손상이 없는 고순도금속, 삼원계 금속 및 전도체 박막 진공 증착이 가능. 편리한 작동방식 PLC 소프트웨어 제어 고객의 요구에다른 다양한 기능 제공 가능 데스크탑 사이즈의 소형 으로 설치공간 최소화 합리적인 공급가격 옵션 :시료크기 및 스퍼터건 선택 가능 JS-MSP4 JS-MSP41 Magnetron Sputter(3” gun x 1),옵션으로 스퍼터건 수량 선택 가능 성능 및 사양 - 증착기판크기 : 조각시편~4 인치 웨이퍼 - 레서피에 의한 자동증착 공정 제어,저장 - Magnetron sputtering source : 3” gun(옵션:1set,2set,3set) - Ultimate pressure : Below than 5 x 10E-7 torr @ 12시간 이내 - Deposition uniformity : ±3% 이내 @ 4 inch dia sample, STD Dep. - ROR : 1 x 10E-6 torr/min 이하 - Substrate 표면온도 : Up to 500℃ - 기판온도균일도 : ±3℃ 이내 @ 4 inch zone - Sputtering source bias volatge: -200V 이상 Magnetron Sputter(3” gun x 1) 규격서 Magnetron Sputter(3” gun x 2) 규격서 ■ 특징 - 강한 자기장에 의한 고밀도 플라즈마 스퍼터링 소스를 이용하여 낮은 가스압력에서   산소의 영향과 플라즈마에 의한 손상이 없는 고순도금속, 삼원계 금속 및 전도체 박막 진공 증착이 가능함. ■ 규격 (1). 성능 및 사양 - 증착기판크기 : 조각시편~4 인치 웨이퍼 - 레서피에 의한 자동증착 공정 제어,저장 - Magnetron sputtering source : 1 set, 3” gun - Ultimate pressure : Below than 5 x 10E-7 torr @ 12시간 이내 - Deposition uniformity : ±3% 이내 @ 4 inch dia sample, STD Dep. - ROR : 1 x 10E-6 torr/min 이하 - Substrate 표면온도 : Up to 500℃ - 기판온도균일도 : ±3℃ 이내 @ 4 inch zone - Sputtering source bias volatge: -200V 이상 (2). 주요 자재 및 설비 - 공정챔버(SUS304) . Top door, 시창, 내부쉴드카바,전해연마   All port UHV   ISO seal & down sputter design - 공정챔버 진공배기장치 . Turbo pump (450 l/s(N2), <5x10E-8torr) . Backing pump (600 l/m 이상, No tip-seal replacement, air cooling) . Gate valve (metal bonnet) . Turbulence free pumping and vent - 기판장치 . 4인치 웨이퍼 1장 . 공압셔터 기능 . Heating element : UHV compotible . 고온용 히터 : Up to 500℃ - 고진공 및 저진공 측정장치 . Wide range vacuum transducer . Automatic filament control, set point relay - Magnetron sputtering source : 1 set, 3” . Directly cooled target . Max.DC power : 1,000W . NdFeB encapsulated, CTFE insulator . Pneumatic shutter . Size & Q’ty : 3 inch x 1ea - Gas supply . 2 MFC (Ar, O2) . Response time : <50 micro seconds . 안전기능 자체프로그램 내장 :   아크인식카운터, 내부온도 과열차단, 비정상전류   전압출력 인터락 차단 강제종료, 에러메세지저장 . Multi-source select controller - Auto pressure control unit . Down stream . Pressure control : 1mtorr ~ 50mtorr - 프레임 . AL, Foot & caster . 19" Standard Rack cabinet - 시스템제어장치 . 산업용 터치 Monitor ( 10 inch 이상) . Programming : Data log./real or historical trend, Recipe selection, Temp. control and monitor, Pressure monitoring, Cycle process function, Partial running function, Safety alarm, .PLC Module (High speed, noise isolation) - 유틸리티 안전 인터락 제어 시스템 - EMO ■ 특 징 - 강한 자기장에 의한 고밀도 플라즈마 스퍼터링 소스를 이용하여 낮은 가스압력에서   산소의 영향과 플라즈마에 의한 손상이 없는 고순도금속, 삼원계 금속 및 전도체 박막 진공 증착이 가능함. ■ 규 격 (1). 성능 및 사양 - 증착기판크기 : 조각시편~4 인치 웨이퍼 - 레서피에 의한 자동증착 공정 제어,저장 - Magnetron sputtering source : 2 set, 3” gun - Ultimate pressure : Below than 5 x 10E-7 torr @ 12시간 이내 - Deposition uniformity : ±3% 이내 @ 4 inch dia sample, STD Dep. - ROR : 1 x 10E-6 torr/min 이하 - Substrate 표면온도 : Up to 500℃ - 기판온도균일도 : ±3℃ 이내 @ 4 inch zone - Sputtering source bias volatge: -200V 이상 (2). 주요 자재 및 설비 - 공정챔버(SUS304) . Top door, 시창, 내부쉴드카바,전해연마   All port UHV   ISO seal & down sputter design - 공정챔버 진공배기장치 . Turbo pump (450 l/s(N2), <5x10E-8torr) . Backing pump (600 l/m 이상, No tip-seal replacement, air cooling) . Gate valve (metal bonnet) . Turbulence free pumping and vent - 기판장치 . 4인치 웨이퍼 1장 . 공압셔터 기능 . Heating element : UHV compotible . 고온용 히터 : Up to 500℃ . Substrate rotation; 10~50RPM - 고진공 및 저진공 측정장치 . Wide range vacuum transducer . Automatic filament control, set point relay - Magnetron sputtering source : 2 set, 3” . Directly cooled target . Max. DC power : 1,000W . Max. RF power : 300W . NdFeB encapsulated, CTFE insulator . Pneumatic shutter . Size & Q’ty : 3 inch x 2ea - Gas supply . 2 MFC (Ar, O2) . Response time : <50 micro seconds . 안전기능 자체프로그램 내장 :   아크인식카운터, 내부온도 과열차단, 비정상전류   전압출력 인터락 차단 강제종료, 에러메세지저장 . Multi-source select controller - Auto pressure control unit . Down stream . Pressure control : 1mtorr ~ 50mtorr - 프레임 . AL, Foot & caster . 19" Standard Rack cabinet - 시스템제어장치 . 산업용 터치 Monitor ( 10 inch 이상) . Programming : Data log./real or historical trend, Recipe selection, Temp. control and monitor, Pressure monitoring, Cycle process function, Partial running function, Safety alarm, .PLC Module (High speed, noise isolation) - 유틸리티 안전 인터락 제어 시스템 - EMO     마그네트론 스퍼터링 장비는 크게 챔버, 진공배기, 플라즈마발생부분, 제어부분, 유틸리티부분의 다섯 부분으로 구분될 수 있다. 챔버의 내부를 진공펌프로 10-５torr(대기압은 760torr) 이하로 배기하고 가스(Ar, O2, N2 등)를 주입해서 10-2~10-3torr 압력을 유지한다. 타겟의 상부에는 마그넷에 의해서 자기력선과 타겟에 음(－) 전압인가에 의해 타겟 상부에 플라즈마가 형성되고. 플라즈마에 의해서 에너지를 갖는 원자 혹은 분자 등의 이온이 타겟에 충돌하므로 입자가 방출되어 기판에 부착된다． 일반적으로 제작되는 박막의 두께는 1μm이하이며 스퍼터링 되는 나노 입자의 크기는 0.1~ 10nm으로 스퍼터링 기술은 나노기술로 분류된다.